STWA65N60DM6技术参数详情：
STWA65N60DM6是ST意法半导体推出的MDmesh DM6系列N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，具备600V的漏源电压（Vdss）额定值和高达38A（Tc=25°C）的连续漏极电流（Id）处理能力，专为高压高功率应用设计。
其核心技术优势在于通过先进的超结结构，实现了低导通电阻与优化开关特性的结合，旨在最大限度地降低功率损耗，提升系统效率。这款MOSFET主要面向工业电源、新能源逆变器及电机驱动等领域的功率开关应用，为设计人员提供了一个可靠的高性能解决方案。
- 型号:STWA65N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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