STY100NM60N

STY100NM60N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和高达98A的连续漏极电流（Id），展现了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了优异的导通性能与开关特性的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至29毫欧（@49A），能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大330nC）有助于降低开关损耗并提升工作频率。器件采用坚固的MAX247通孔封装，支持高达625W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性和稳定性。

• 型号:STY100NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 98A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 49A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:330 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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