STY100NS20FD

STY100NS20FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列，采用MAX247通孔封装。该器件设计用于高功率应用，其核心优势在于200V的漏源电压（Vdss）和高达100A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其技术亮点集中体现在优异的导通性能与开关特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为24毫欧 @ 50A，这能显著降低导通损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值被控制在360nC @ 10V，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。器件支持高达450W（Tc）的功率耗散，工作结温可达150°C，确保了在高负荷下的稳定性和可靠性。

• 型号:STY100NS20FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:360 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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