STY105NM50N技术参数详情：
STY105NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其500V的漏源电压和110A的连续漏极电流处理能力，为高功率应用提供了坚实的基础。
其关键技术卖点在于极低的导通电阻，在10V驱动下典型值仅为22毫欧，能显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了快速的开关特性，有助于提升系统效率与功率密度。该器件采用通孔封装，适用于要求高可靠性和高效散热的工业级电源与电机驱动系统。
- 型号:STY105NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 52A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:326 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:MAX247
- 封装/外壳:TO-247-3
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