STY50N105DK5技术参数详情：
STY50N105DK5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用MAX247通孔封装，核心电气参数包括1050V的漏源电压（Vdss）和44A的连续漏极电流（Id），具备强大的高压大电流处理能力。
其技术优势体现在极低的导通电阻（Rds(on)典型值为120mΩ @ 10V, 22A）与优化的开关特性（栅极电荷Qg最大值为175nC）的结合，这有助于显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和高达625W的功率耗散能力，确保了其在严苛工业环境下的高可靠性与稳定性。
- 型号:STY50N105DK5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 22A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:175 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:MAX247
- 封装/外壳:TO-247-3
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