T1235H-6G-TR技术参数详情：
T1235H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装、无缓冲型三端双向可控硅。该器件核心额定参数为600V断态电压与12A通态有效电流，具备强大的过载能力，其非重复浪涌电流最高可达126A，适用于存在冲击电流的应用环境。
其关键优势在于极低的驱动需求，最大栅极触发电压仅1V，触发电流35mA，可由微控制器或简单电路直接驱动，极大简化了系统设计。采用TO-263（DPak）封装，工作结温范围-40°C至150°C，为交流调压、电机控制和固态继电器等应用提供了高可靠性、紧凑型的解决方案。
- 型号:T1235H-6G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 12A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
- 电压 - 断态:600 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:12 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A，126A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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