STD7N65M2

STD7N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh技术，封装为DPAK。其核心优势在于高达650V的漏源电压（Vdss）与低至1.15欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这为高压开关应用提供了优异的效率基础。

该器件在25°C壳温下可支持5A的连续漏极电流，最大栅极电荷（Qg）仅为9nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力为60W，确保了在各类电源转换和电机控制应用中的高可靠性与稳健性能。

• 型号:STD7N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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