T1235H-8G-TR技术参数详情：
T1235H-8G-TR是ST意法半导体生产的一款高性能、表面贴装三端双向可控硅。该器件设计用于高电压环境，其核心特性包括高达800V的断态电压和12A的通态有效电流，为交流功率控制提供了坚实的性能基础。
其低栅极触发要求（Vgt最大1.3V，Igt最大35mA）使其易于由低压逻辑电路直接驱动，同时高达120A/126A的浪涌电流承受能力确保了系统的抗冲击可靠性。结合TO-263AB封装和-40°C至150°C的宽工作结温范围，使其成为工业电机控制、加热调节及固态继电器等应用的理想选择。
- 型号:T1235H-8G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
- 电压 - 断态:800 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:12 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A，126A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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