STL15N65M5技术参数详情：
STL15N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件设计用于在高达650V的漏源电压下工作，并在壳温条件下提供10A的连续电流处理能力，为核心功率开关应用提供了高耐压与强电流承载的保障。
其技术核心在于实现了优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至375毫欧，有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（最大22nC）确保了快速的开关瞬态，有助于提升高频开关电源的整体效率。器件采用热性能出色的PowerFlat表面贴装封装，结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对效率和功率密度有严苛要求的工业与消费类电源设计。
- 型号:STL15N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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