T835T-8FP技术参数详情：
T835T-8FP是ST意法半导体推出的一款800V/8A三端双向可控硅，采用TO-220FPAB绝缘封装。该器件核心优势在于其高电压阻断能力和稳健的电流处理特性，断态电压达800V，RMS通态电流为8A，并能承受高达63A的浪涌电流，为应对电网干扰和负载冲击提供了可靠保障。
其优化的触发参数（VGT最大1.3V，IGT最大35mA）允许直接由低压逻辑电路驱动，简化了系统设计。宽工作结温范围（-40°C至150°C）和较低的保持电流使其适用于要求严苛的工业与消费电子环境，是实现交流相位控制、电机调速和固态开关功能的高性价比解决方案。
- 型号:T835T-8FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FPAB
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC ALTRNSTR 800V 8A TO220FPAB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
- 电压 - 断态:800 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A，63A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:40 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FPAB
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