TD352IDT技术参数详情：
TD352IDT是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，设计用于高效驱动N沟道MOSFET和IGBT。
其核心特性包括12V至26V的宽范围供电电压，以及高达1.7A（拉出）和1.3A（灌入）的峰值输出电流驱动能力，配合100ns的典型快速开关时间，可显著降低功率开关损耗。器件逻辑输入兼容性强（VIL/VIH：0.8V/4.2V），工作温度范围宽达-40°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与设计灵活性。
- 型号:TD352IDT
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12V ~ 26V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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