TIP112技术参数详情：
TIP112是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-220封装。其核心卖点在于极高的电流放大能力，直流电流增益(hFE)最小值达1000（@1A, 4V），能够以极小的基极输入电流控制高达2A的负载电流，显著简化驱动电路设计。
该器件具备100V的集射极击穿电压和2W的功耗处理能力，结温最高可至150°C，确保了良好的电压耐受性与工作稳定性。其典型的达林顿结构在提供高增益的同时，也带来了约2.5V的导通饱和压降，适用于中功率开关、线性放大及各类负载驱动场景。
- 型号:TIP112
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 8mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 1A，4V
- 功率 - 最大值:2 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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