A2C25S12M3技术参数详情：
A2C25S12M3是ST意法半导体生产的一款1200V/25A IGBT功率模块，采用紧凑的ACEPACK 2封装。该模块集成了一个完整的三相反相器桥路和一个独立的制动IGBT，构成了高度集成的三相逆变与制动解决方案，最大程度简化了系统设计。
其核心采用沟槽型场截止IGBT技术，实现了低至2.45V（@15V，25A）的饱和压降，有效降低了导通损耗。模块集成了NTC热敏电阻，便于实现精确的温度监控与保护。197W的最大功率处理能力和高达150°C的结温工作能力，确保了其在苛刻工业环境下的可靠性与耐用性。
- 型号:A2C25S12M3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 2
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器，带制动器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
- 功率 - 最大值:197 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 2
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