TRD236DT4技术参数详情：
TRD236DT4是ST意法半导体推出的一款NPN型双极性功率晶体管，采用表面贴装DPak（TO-252）封装。其核心电气参数定义了它在高压功率应用中的定位，包括高达400V的集射极击穿电压和4A的最大集电极电流，使其能够胜任开关电源和电机驱动中的主功率开关角色。
该器件在2.5A电流下的最小直流电流增益（hFE）为8，并在特定条件下提供低至1.3V的饱和压降，这有助于优化开关效率和减少导通损耗。最大35W的功耗能力和150°C的结温工作范围，进一步确保了其在苛刻热环境下的可靠性。尽管产品状态为停产，其参数组合仍代表了其在同类中功率高压晶体管中的经典性能。
- 型号:TRD236DT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 400V 4A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.3V @ 600mA，2.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:250A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:8 @ 2.5A，5V
- 功率 - 最大值:35 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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