ULN2067B技术参数详情:
ULN2067B是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16引脚PowerDIP通孔封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对,每个通道可提供高达1.75A的连续集电极电流和80V的集电极-发射极击穿电压,具备强大的负载驱动能力。
其设计针对直接接口微控制器和逻辑电路进行了优化,输入兼容TTL/5V CMOS电平,并内置输入电阻和输出续流二极管。在1.5A电流下,其最大饱和压降仅为1.5V,确保了高效的低功耗开关操作。这些特性使其成为驱动继电器、电机、螺线管及指示灯等多路中功率负载的理想解决方案,广泛应用于工业控制、汽车电子和办公自动化设备等领域。
- 型号:ULN2067B
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-PowerDIP(20x7.10)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):80V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
- 功率 - 最大值:1W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:16-PowerDIP(0.300,7.62mm)
- 供应商器件封装:16-PowerDIP(20x7.10)
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