STL115N10F7AG技术参数详情：
STL115N10F7AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽工艺技术，在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，提供了高达107A（Tc）的连续漏极电流处理能力，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为6毫欧（@10V， 53A），这使其在导通状态下的功耗极低，效率突出。
其动态特性经过优化，栅极电荷（Qg）最大值为72.5nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。器件采用散热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，最大功率耗散达136W（Tc），结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在严苛的汽车及工业环境中的高可靠性和稳定性。该MOSFET是设计高功率密度、高效率电源转换和电机驱动方案的理想选择。
- 型号:STL115N10F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 53A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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