VNB10N07TR-E技术参数详情：
VNB10N07TR-E是ST意法半导体推出的一款单通道、低边N沟道智能功率开关，隶属于OMNIFET/VIPower产品系列。它采用单片集成技术，将功率MOSFET、驱动电路及保护功能集于一体，无需外部Vcc供电，仅通过一个开/关信号即可直接控制负载。
该器件的核心优势在于其高达7A的连续输出电流能力与低至100毫欧（最大）的导通电阻，能有效管理功率损耗。其设计支持最大55V的负载电压，并内置了限流、超温和过压保护，确保了在恶劣电气环境下的高可靠性与系统安全性。采用D2PAK表面贴装封装，适用于自动化生产。
- 型号:VNB10N07TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:1
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:55V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:14A
- 导通电阻（典型值）:100 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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