VNB35NV04TR-E技术参数详情：
VNB35NV04TR-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单片智能高端开关。该器件集成了一个功率N沟道MOSFET及其驱动控制电路，采用低端输出配置，可通过简单的开/关接口直接控制，最大负载电压36V，持续输出电流能力高达30A。
其核心优势在于极高的集成度与可靠性。典型导通电阻仅为13毫欧，能显著降低导通损耗。芯片内部集成了固定限流、过温关断和过压保护功能，无需外部VCC供电，简化了系统设计并增强了鲁棒性。该器件采用D2PAK封装，工作结温范围-40°C至150°C，适用于要求严苛的汽车和工业应用环境。
- 型号:VNB35NV04TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:1
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:30A
- 导通电阻（典型值）:13 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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