VND5E050MJTR-E技术参数详情：
VND5E050MJTR-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关，属于VIPower产品系列。该器件采用PowerSSO-12封装，集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个通道可支持高达19A的负载电流，且导通电阻典型值仅为50毫欧，能效突出。
其工作电压范围覆盖4.5V至28V，适用于12V/24V电池系统，并内置全面的保护功能，包括固定限流、过温关断和过压保护。独特的自动重启机制在故障清除后能恢复操作，增强了系统韧性。器件通过简单的开/关接口控制，设计简洁，主要面向汽车车身电子及工业驱动等高可靠性应用场景。
- 型号:VND5E050MJTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSSO-12
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 PWRSSO12
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:19A
- 导通电阻（典型值）:50 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:带有自动重启功能
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerSSO-12
- 封装/外壳:12-PowerLSOP（0.154\\
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