VND10BSPTR-E技术参数详情：
VND10BSPTR-E是STMicroelectronics推出的一款双通道高端智能功率开关，采用PowerSO-10封装。该器件集成了两个独立的N沟道功率MOSFET，设计用于直接驱动6V至26V电压范围内的各类负载，最大持续输出电流达3.4A，并凭借低至100毫欧（最大）的导通电阻实现高效功率切换。
其核心优势在于高度的集成化与完备的保护机制。芯片内置电荷泵，无需外部Vcc供电即可驱动高端开关，简化了设计。同时，它提供了开路负载检测和超温关断等关键故障保护功能，并配备状态标志引脚用于实时诊断反馈，极大增强了系统在汽车或工业环境中的可靠性与安全性。
- 型号:VND10BSPTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:6V ~ 26V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:3.4A
- 导通电阻（典型值）:100 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:状态标志
- 故障保护:开路负载检测，超温
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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