STL40N10F7技术参数详情：
STL40N10F7是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的DeepGATE产品系列。该器件设计用于高效功率转换，其核心参数包括100V的漏源电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。
其关键优势在于极低的功率损耗。导通电阻（Rds(on)）低至24毫欧（@10V, 10A），显著降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大19nC @10V）确保了快速的开关瞬态，有助于减少开关损耗并提升系统效率。器件采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，工作结温高达175°C，适用于要求高可靠性和高功率密度的紧凑型设计。
- 型号:STL40N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5W（Ta），70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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