VND5E008MYTR-E技术参数详情：
VND5E008MYTR-E是意法半导体（STMicroelectronics）基于VIPOWER技术打造的一款双通道高端智能功率开关。该器件集成了两个独立的N通道功率MOSFET，采用高端输出配置，设计用于直接由微控制器逻辑信号控制，无需外部供电电压（Vcc）。
其核心优势在于极低的导通电阻（典型值8mΩ）和高达53A的每通道输出电流能力，工作负载电压范围宽至4.5V至28V。器件内置全面的保护功能，包括固定值限流、过温关断和过压保护，并具备故障后自动重启特性，确保了驱动系统的安全与可靠运行。
该产品符合AEC-Q100标准，采用PowerSSO-36封装，工作结温范围为-40°C至150°C，专为要求严苛的汽车电子及工业应用中的高电流负载切换而设计。
- 制造商产品型号：VND5E008MYTR-E
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO36
- 产品系列：电源管理IC - 配电开关，负载驱动器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100, VIPOWER
- 零件状态：有源
- 开关类型：通用
- 输出数：2
- 比率-输入:输出：1：1
- 输出配置：高端
- 输出类型：N 通道
- 接口：开/关
- 电压-负载：4.5V ~ 28V
- 电压-供电(Vcc/Vdd)：不需要
- 电流-输出（最大值）：53A
- 导通电阻（典型值）：8 毫欧
- 输入类型：非反相
- 特性：带有自动重启功能
- 故障保护：限流（固定），超温，过压
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PowerSSO-36
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