VND830TR-E技术参数详情：
VND830TR-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关，隶属于VIPower产品系列。该器件集成了两个N沟道功率MOSFET，每个通道可承受高达6A的负载电流，并具备低至60毫欧的典型导通电阻，有效优化了功率效率与热管理。
其设计核心在于高度的集成化与可靠性，工作电压范围覆盖5.5V至36V，兼容常见的12V/24V系统。器件提供了全面的内置保护功能，包括固定限流、开路负载检测、过温及过压保护，并具备故障状态下的自动重启能力，极大简化了外围电路设计并提升了系统鲁棒性。它采用16-SO封装，通过简单的开/关逻辑接口进行控制，主要面向汽车车身电子及工业驱动等领域的负载开关应用。
- 型号:VND830TR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:5.5V ~ 36V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:6A
- 导通电阻（典型值）:60 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:带有自动重启功能
- 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:16-SO
- 封装/外壳:16-SOIC（0.295\\
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