STP30N65M5

STP30N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压、高电流应用，其核心优势在于结合了650V的高漏源电压（Vdss）与22A（Tc）的高连续载流能力，同时通过先进的半导体工艺将导通电阻（RDS(on)）控制在极低的139mΩ（最大值），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。

除了优异的静态参数，该器件还具备出色的动态特性。其最大栅极电荷（Qg）仅为64nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，这对于提升开关电源的工作频率和效率至关重要。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功率耗散为140W（Tc），工作结温高达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关部分的理想选择。

• 型号:STP30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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