VNN1NV04PTR-E技术参数详情：
VNN1NV04PTR-E是ST意法半导体推出的一款单通道低侧智能功率开关，隶属于OMNIFET II系列。它集成了一个功率N沟道MOSFET及其驱动保护电路，采用开/关接口控制，可直接由微处理器逻辑电平驱动，极大简化了系统设计。
该器件支持高达36V的负载电压和1.7A的持续输出电流，其导通电阻典型值低至250毫欧，能效表现出色。其核心价值在于内置的全面故障保护功能，包括固定限流、过温关断和过压保护，确保了在驱动感性或阻性负载时的高可靠性与安全性。其SOT-223封装和宽工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ）使其成为汽车、工业及消费电子中空间受限应用的理想选择。
- 型号:VNN1NV04PTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:1
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:1.7A
- 导通电阻（典型值）:250 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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