STD3NM60-1技术参数详情：
STD3NM60-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优化的动态特性上，在10V驱动电压下具有较低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这有助于降低导通与开关损耗，提升电源系统的整体效率。器件采用I-PAK通孔封装，最大功耗42W（Tc），工作温度范围宽，适用于要求可靠性和鲁棒性的工业环境。
- 型号:STD3NM60-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:324 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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