VNV35NV04技术参数详情：
VNV35NV04是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道、低侧智能功率开关。该器件集成了一个额定电流高达30A的N沟道功率MOSFET，其导通电阻典型值极低，能高效驱动大电流负载，最大负载电压为36V。其核心优势在于高度集成，无需外部逻辑电源，可直接由微控制器GPIO控制，极大简化了外围电路设计。
器件内置了全面的保护功能，包括固定限流、过温关断和过压保护，确保了在短路、过载等故障条件下的系统安全。采用10-PowerSO表面贴装封装，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，满足汽车及工业应用对高可靠性和环境适应性的严苛要求，是一款用于驱动继电器、电机、灯组等负载的坚固、集成的解决方案。
- 型号:VNV35NV04
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:1
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:30A
- 导通电阻（典型值）:10 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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