2N2102技术参数详情：
2N2102是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管，采用TO-39金属罐封装。其核心电气参数包括65V的集电极-发射极击穿电压和1A的最大集电极电流，适用于中压、中电流的通用放大与开关电路。
该器件在150mA集电极电流下的最小直流电流增益(hFE)为40，并具有低至500mV的饱和压降，这有助于在开关应用中实现较低的导通损耗。其结温最高可达175°C，最大功耗为1W，展现了良好的热性能和功率处理能力。尽管产品状态为停产，但其参数组合在传统的线性电源、音频放大及驱动电路中仍具代表性。
- 型号:2N2102
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-39
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 65V 1A TO-39
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:65 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 15mA，150mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:2nA（ICBO）
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 150mA，10V
- 功率 - 最大值:1 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:TO-39
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