2N7002技术参数详情：
2N7002是ST意法半导体生产的一款N沟道MOSFET，隶属于STripFET产品系列，采用SOT-23-3表面贴装封装。该器件核心参数包括60V漏源电压(Vdss)和200mA连续漏极电流(Id)，适用于中小功率开关应用。
其技术亮点在于优异的开关特性：极低的栅极电荷（最大2nC @ 5V）和输入电容（最大43pF @ 25V）确保了高速开关与低驱动损耗；10V驱动电压下的低导通电阻有助于减少导通状态下的功率耗散。器件兼容逻辑电平驱动（Vgs(th)最大3V），工作温度范围宽达-55°C至150°C（TJ），具备良好的环境适应性。
- 型号:2N7002
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:43 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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