A2C35S12M3-F技术参数详情：
A2C35S12M3-F是ST意法半导体推出的一款1200V/35A IGBT功率模块，隶属于ACEPACK2封装系列。它采用沟槽型场截止技术，集成了一个完整的三相反相器桥与制动IGBT，最大功率处理能力为250W，其低至2.45V @15V, 35A的导通压降有效降低了导通损耗。
模块内部集成NTC热敏电阻，便于温度监控与保护。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，并采用底座安装方式，确保了在工业环境下的高可靠性与散热效能。该模块设计用于简化中功率变频驱动、伺服系统和UPS的电源设计，提供高集成度的解决方案。
- 型号:A2C35S12M3-F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 2
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器，带制动器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
- 功率 - 最大值:250 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，35A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 2
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