A2C50S65M2-F技术参数详情：
A2C50S65M2-F是ST意法半导体推出的一款650V/50A三相IGBT功率模块，采用先进的沟槽型场截止技术，封装于ACEPACK 2之中。其最大功耗为208W，在15V栅极驱动和50A集电极电流条件下，饱和压降典型值仅为2.3V，实现了低导通损耗与良好开关特性的平衡。
该模块集成了完整的反相器桥臂与NTC热敏电阻，支持标准输入电平，便于驱动设计并实现精确的温度监控。其紧凑的模块化封装和底座安装方式，简化了散热管理与系统集成，适用于对功率密度和可靠性有较高要求的工业与能源应用。
- 型号:A2C50S65M2-F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 2
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 功率 - 最大值:208 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 2
- 现在可以订购A2C50S65M2-F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
