A2C50S65M2技术参数详情：
A2C50S65M2是ST意法半导体推出的一款650V/50A IGBT功率模块，采用先进的沟槽型场截止技术，确保在高压下具备低导通损耗和高开关效率。其集电极-发射极饱和压降典型值低至2.3V，最大功率处理能力为208W，有效提升了系统整体能效。
模块高度集成，内部包含一个完整的三相反相器桥路和制动单元，并内置NTC热敏电阻用于温度监控，支持在-40°C至150°C的宽温度范围内可靠工作。标准的ACEPACK2封装便于散热设计，适用于要求结构紧凑、性能稳定的工业驱动与能源转换场景。
- 型号:A2C50S65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 2
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器，带制动器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 功率 - 最大值:208 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 2
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