BD435技术参数详情：
BD435是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性晶体管，采用TO-126-3通孔封装。该器件核心卖点在于其4A的集电极电流和32V的集电极-发射极击穿电压，能够稳健地处理中等功率的开关与放大任务。
其技术参数表现出良好的实用性，特别是在饱和压降方面，在2A电流下典型值仅为500mV，有助于降低开关应用中的导通损耗。高达36W的功率耗散能力和150°C的最高结温，确保了其在要求散热良好的环境中可靠运行。这些特性使其成为线性稳压、音频放大以及各类电机、继电器驱动电路的经典选择之一。
- 型号:BD435
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-32-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 32V 4A SOT-32-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:32 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 10mA，5V
- 功率 - 最大值:36 W
- 频率 - 跃迁:3MHz
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装:SOT-32-3
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