STI23NM60N

STI23NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的垂直沟槽技术，核心优势在于实现了600V高阻断电压与低导通电阻（典型值180mΩ @10V）的优异结合，同时具备低栅极电荷（最大60nC），这共同确保了其在开关电源应用中能够实现高效率与低损耗的功率转换。

其额定连续漏极电流高达19A（T_C=25°C），最大功耗为150W，采用坚固的I2PAK通孔封装，提供了强大的电流处理能力和良好的散热特性。这些参数使其成为工业级电源、电机驱动和功率转换系统中主开关管的可靠选择，旨在优化系统的能效与功率密度。

• 型号:STI23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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