STP46N60M6技术参数详情：
STP46N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与低至80毫欧的导通电阻（Rds(on)）的优异组合，在高压应用中能显著降低导通损耗，提升系统效率。
在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值高达36A，最大功率耗散为250W，具备强大的电流处理与散热能力。采用标准的TO-220通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在工业级应用环境下的高可靠性与稳定性，是构建高效开关电源和电机驱动等功率系统的理想选择。
- 型号:STP46N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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