BUR51技术参数详情：
BUR51是ST意法半导体推出的一款大功率NPN双极性晶体管，采用经典的TO-3金属封装。其核心电气规格突出，具备200V的集射极击穿电压和60A的最大集电极电流能力，能够胜任高电压、大电流的开关与放大任务。
该器件在饱和导通时压降低至1.5V（@5A, 50A），有助于减少导通损耗，同时其最大功率耗散能力达到350W，展现了出色的功率处理与散热潜力。尽管产品已停产，但其高可靠性设计使其在工业电源、电机驱动及音频放大等传统功率电子领域的历史设计中曾扮演关键角色。
- 型号:BUR51
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 200V 60A TO-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:200 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 5A，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:20 @ 5A，4V
- 功率 - 最大值:350 W
- 频率 - 跃迁:16MHz
- 工作温度:200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装:TO-3
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