STD13N50DM2AG技术参数详情：
STD13N50DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款有源、单通道功率MOSFET，属于其POWER TRANSISTORS系列。该器件专为要求高效率与可靠性的功率开关应用而设计。
其核心电气特性包括在壳温（Tc）条件下高达11A的连续漏极电流（Id）处理能力。这一特性使其能够胜任中高功率等级的开关任务。器件内部针对低导通损耗进行了优化，旨在通过降低传导损耗来提升系统整体能效并减少热管理负担，从而满足现代电源设计对高功率密度和长寿命的追求。
- 制造商产品型号：STD13N50DM2AG
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：POWER TRANSISTORS
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
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