L6384ED技术参数详情:
L6384ED是ST意法半导体推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC,采用8-SOIC封装。该器件专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计,其高压侧可承受最高600V的电压,并集成了自举二极管,简化了高压侧供电。其逻辑输入兼容反相信号,阈值设计适用于常见的控制逻辑电平。
该驱动器的核心优势在于其强大的驱动能力和快速的开关速度。它可提供高达650mA(拉出)和400mA(灌入)的峰值输出电流,结合典型的50ns上升时间和30ns下降时间,能够显著降低功率开关管的开关损耗,提升系统效率。其工作结温范围宽达-45°C至125°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行,是电机控制、电源转换等应用的理想驱动解决方案。
- 型号:L6384ED
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL,VIH:1.5V,3.6V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
- 上升/下降时间(典型值):50ns,30ns
- 工作温度:-45°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
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