STGD18N40LZ-1技术参数详情：
STGD18N40LZ-1是ST意法半导体基于PowerMESH技术制造的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件设计用于中压、中电流应用，其核心电气规格包括420V的集射极击穿电压、25A的连续集电极电流以及40A的脉冲电流能力，为系统提供了稳健的过载承受力。
其关键优势在于优异的导通效率，在10A电流下最大饱和压降仅为1.7V，配合29nC的低栅极电荷，共同实现了较低的开关与导通损耗。器件采用TO-251（IPAK）通孔封装，最大功耗125W，并支持-55°C至175°C的宽结温范围，确保了在多样化环境条件下的可靠工作。这些特性使其成为电机驱动、电源转换等功率开关应用的理想选择。
- 型号:STGD18N40LZ-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 420V 25A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:420 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A
- 功率 - 最大值:125 W
- 开关能量:-
- 输入类型:逻辑
- 栅极电荷:29 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5s
- 测试条件:300V，10A，5V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
- 供应商器件封装:IPAK
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