ESDA6V1U1RL技术参数详情：
ESDA6V1U1RL是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的表面贴装TVS二极管阵列。该器件集成了6个单向保护通道，基于齐纳技术，为核心卖点在于为多路低压信号线提供高效的瞬态过压保护。
其典型反向断态电压为5V，最小击穿电压为6.1V，能够精确响应并箝位ESD等瞬态电压尖峰。凭借高达200W的峰值脉冲功率吸收能力，它能有效保护后端IC免受损坏。作为一款通用型有源器件，它主要应用于消费电子、工业控制及通信设备中的I/O接口、数据线和GPIO端口防护，是提升系统可靠性和EMC性能的紧凑型解决方案。
- 型号:ESDA6V1U1RL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 5VWM 8-SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:6
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:5V
- 电压 - 击穿（最小值）:6.1V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
- 功率 - 峰值脉冲:200W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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