NAND512W3A0AN6E技术参数详情：
NAND512W3A0AN6E是ST意法半导体生产的一款512Mb（64M x 8位）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。它采用48-TSOP封装，支持表面贴装，工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑系统。
该芯片提供50ns的页写入时间和访问时间，在异步并行接口NAND闪存中具备良好的操作速度。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，满足工业级应用对环境适应性的要求。这款器件适用于需要中等容量、可靠非易失性存储且对数据吞吐率有一定要求的嵌入式设计。
- 型号:NAND512W3A0AN6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
- 现在可以订购NAND512W3A0AN6E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
