ESDALC6V1M6技术参数详情：
ESDALC6V1M6是ST意法半导体推出的一款TVS二极管阵列，属于ESDA, TRANSIL产品系列，采用6-UFDFN表面贴装封装。该器件集成了四个单向保护通道，专为保护低压高速数据线路免受静电放电（ESD）和其他电压瞬变事件的损害而设计。
其核心优势在于极低的线路电容（典型值12pF @ 1MHz），这使其能够在不影响信号完整性的前提下，为USB、HDMI等高速接口提供有效保护。器件具有3V的反向断态电压和6.1V的最小击穿电压，精准匹配3.3V及以下逻辑电平，峰值脉冲功率为30W。其宽工作温度范围（-40°C ~ 125°C）确保了在各类通用应用环境中的可靠性。
- 型号:ESDALC6V1M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:6-QFN（1.45x1.0）
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 3VWM 6UQFN
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:4
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:3V
- 电压 - 击穿（最小值）:6.1V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
- 功率 - 峰值脉冲:30W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:12pF @ 1MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-UFDFN
- 供应商器件封装:6-QFN（1.45x1.0）
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