STP45N60DM6技术参数详情：
STP45N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件采用先进的超级结技术，核心优势在于实现了600V高耐压与低导通损耗的优异结合，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下可低至99毫欧，同时具备仅44nC的低栅极电荷。
这些参数特性共同指向了高效率与高频率的开关性能。30A的连续漏极电流能力和210W的功率耗散使其能够胜任中高功率应用。TO-220封装提供了良好的通孔安装便利性与散热能力。该器件主要面向要求严苛的电源转换与电机控制领域，旨在提升系统能效和功率密度。
- 型号:STP45N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1920 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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