ESM2030DV技术参数详情：
ESM2030DV是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用ISOTOP封装，专为高要求的功率开关与放大应用设计。该器件集成了高达300V的集射极击穿电压和67A的最大集电极电流处理能力，核心优势在于其极高的电流增益，在56A、5V条件下最小hFE可达300，能以极小的基极电流驱动大功率负载。
其饱和压降低至1.5V @ 56A，有效降低了导通损耗，而150W的最大功耗配合底座安装封装，确保了出色的热管理性能，最高结温可达150°C。这些参数共同定义了一款适用于工业电机驱动、电源转换及大电流线性控制等场景的强力、高效功率开关解决方案。
- 型号:ESM2030DV
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:67 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:300 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 1.6A，56A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:300 @ 56A，5V
- 功率 - 最大值:150 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:ISOTOP
- 供应商器件封装:ISOTOP
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