STD28P3LLH6AG技术参数详情：
STD28P3LLH6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级P沟道功率MOSFET，属于STripFET H6产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其优异的能效表现，其漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）高达12A，能够满足汽车电子中常见的低压大电流应用需求。
器件的关键电气参数为其高效运行提供了保障：在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至30毫欧，有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为29nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。其结温（TJ）工作范围高达150°C，功率耗散能力为33W，确保了在严苛的汽车环境下的长期可靠性与热稳定性。
- 型号:STD28P3LLH6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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