IRF634技术参数详情：
IRF634是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，属于其MESH OVERLAY产品系列。该器件设计用于高压、中电流的开关应用，其核心电气参数包括250V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为功率转换电路提供了坚实的基础。
其技术优势体现在较低的导通电阻（最大450mΩ @ 10V, 4A）和优化的开关特性上，如最大51.8nC的栅极电荷（Qg）和770pF的输入电容（Ciss），这有助于降低导通损耗并实现高效的快速开关。器件支持高达150°C的结温工作，并具备80W的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:IRF634
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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