STGB30H65DFB2技术参数详情：
STGB30H65DFB2是ST意法半导体生产的一款高性能沟槽栅场截止型IGBT，采用TO-263-4表面贴装封装。其核心优势在于650V的高击穿电压和50A的连续集电极电流能力，为功率开关应用提供了坚实的电压和电流余量。
该器件在导通损耗方面表现突出，在30A电流下最大饱和压降仅为2.1V，配合优化的270J（开启）和310J（关断）开关能量，实现了导通与开关损耗的良好平衡。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的高可靠性，适用于要求高效率和高功率密度的工业电源与驱动系统。
- 型号:STGB30H65DFB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:270J（导通），310J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:90 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns
- 测试条件:400V，30A，6.8 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):115 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
- 供应商器件封装:D2PAK-3
- 现在可以订购STGB30H65DFB2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
