IRF640FP技术参数详情：
IRF640FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件基于MESH OVERLAY技术制造，核心电气规格包括200V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下18A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其关键性能优势体现在较低的导通电阻，在10V栅极驱动、9A电流条件下典型值仅为180毫欧，有助于降低导通损耗。同时，72nC的最大栅极电荷（Qg）和±20V的栅源电压容限，为设计高效、稳健的驱动电路提供了便利。这些参数共同定义了它作为一款适用于中功率开关及放大应用的高效、可靠半导体开关的定位。
- 型号:IRF640FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1560 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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