STB75NF20

STB75NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其200V的漏源电压和高达75A的连续漏极电流处理能力，结合极低的导通电阻（典型值34mΩ @ 10V, 37A），为高功率应用提供了高效的功率开关解决方案。

其电气参数设计兼顾了性能与可靠性，栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，而±20V的栅源电压范围则确保了驱动的稳健性。这些特性使其特别适用于要求高效率和高功率密度的工业电源、电机驱动及能源转换系统。

• 型号:STB75NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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