L6384D技术参数详情：
L6384D是ST意法半导体推出的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化。该器件集成了两个同步驱动通道，支持高达600V的自举电压，并提供650mA/400mA的强健峰值输出电流，配合50ns/30ns的快速开关特性，能有效降低功率损耗并提升系统效率。
其逻辑输入为反相设计，兼容标准PWM信号，并具备宽输入阈值（1.5V/3.6V）以增强噪声抑制。器件工作在14.6V至16.6V的驱动电压下，结温范围覆盖-45°C至125°C，确保了在工业级应用环境中的高可靠性，适用于电机控制、电源转换等高性能领域。
- 型号:L6384D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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